แรมพีซี Kingston DDR5 16GB/4800MHz.CL40 (16GBx1) Value

แบรนด์: KINGSTON
SKU: 740617325096

แรม DDR5 Value Ram แรมเ DDR5 แบบ Non-ECC ที่เป็นรุ่นเริ่มต้นที่ 4800 MHz รองรับการทำงานร่วมกับ Intel XMP 3.0 ให้ความเสถียรภาพในการทำงาน ด้วยแบนด์วิธที่เพิ่มขึ้นจากเดิมถึง 50% เพื่อเตรียมพร้อมการเปิดตัวแพลตฟอร์มการประมวลผลใหม่ซีพียู รุ่นใหม่

฿3,590
฿3,990
รับประกันตลอดอายุการใช้งาน
จำนวน
  • ภาพรวม
  • คุณสมบัติ
  • รายละเอียดสินค้า
  • ซื้อสินค้า

คุณสมบัติสินค้า

Capacity 16 GB
Speed 4800 MHz
Cas Latency CL40
Timing 40-40-40
Voltage 1.10 V
Color Black
Heat Spreader No
Type DDR5
Warranty Lifetime

Kingston Ram PC DDR5 16GB/4800MHz CL40 (16GBx1) Value

มาตรฐานหน่วยความจำ DDR5: ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับเทคโนโลยีหน่วยความจำ DRAM รุ่นใหม่

 

ภาพรวมเกี่ยวกับ DDR5

DDR5 คือ Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory รุ่นที่ 5 เรียกอีกชื่อว่า DDR5 SDRAM เริ่มต้นจากเมื่อปี 2017 โดย JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) หน่วยงานกำหนดมาตรฐานอุตสาหกรรมโดยการประสานข้อมูลจากผู้ผลิตเซมิคอนดัคเตอร์และชิปเซ็ตหน่วยความจำชั้นนำของโลก รวมทั้ง Kingston หน่วยความจำ DDR5 ออกแบบมาพร้อมคุณสมบัติการทำงานใหม่ ๆ ที่มีประสิทธิภาพเหนือกว่า ใช้กระแสไฟน้อยกว่าและจัดการข้อมูลได้อย่างเชื่อถือได้มากกว่าเพื่อเตรียมพร้อมสำหรับการประมวลผลแห่งทศวรรษใหม่ DDR5 เปิดตัวในปี 2021

 

ความเร็วเริ่มต้นในการทำงานที่เหนือกว่า

DDR5 ทำความเร็วเริ่มต้นที่ 4800MHz ในขณะที่ DDR4 ทำงานที่ความเร็วสูงสุดที่ 3200MHz ซึ่งหมายถึงแบนด์วิธที่เพิ่มจากเดิมถึง 50% เพื่อเตรียมพร้อมสำหรับการเปิดตัวแพลตฟอร์มการประมวลผลรุ่นใหม่ ๆ DDR5 จึงมีแผนที่จะเพิ่มแบนด์วิธไปอีกถึง 6400MHz

 

ใช้กระแสไฟฟ้าน้อยกว่า/ประหยัดพลังงานมากกว่า

DDR5 ใช้กระแสไฟเพียง 1.1V ซึ่งน้อยกว่า DDR4 ซึ่งใช้ไฟที่ 1.2V ถึง 20% นอกจากช่วยยืดเวลาการใช้งานแบตเตอรี่ให้กับโน้ตบุ๊กแล้ว หน่วยความจำนี้ยังมีข้อดีสำคัญสำหรับเซิร์ฟเวอร์ระดับองค์กรที่ต้องทำงานอยู่ตลอดเวลาเช่นกัน

 

PMIC

หน่วยความจำ DDR5 มาพร้อมกับ Power Management Integrate Circuits (PMIC) ในตัวที่ทำหน้าที่ควบคุมกระแสไฟฟ้าที่ส่วนประกอบต่าง ๆ ของโมดูลหน่วยความจำใช้ (DRAM, รีจิสเตอร์, ฮับ SPD ฯลฯ) สำหรับโมดูลระดับเซิร์ฟเวอร์ PMIC ใช้กระแสไฟที่ 12V ส่วนรุ่นสำหรับ PC ตัว PMIC จะใช้กระแสไฟที่ 5V ซึ่งทำให้การจัดสรรพลังงานดีกว่ารุ่นก่อนหน้า ความสมบูรณ์ของสัญญาณดีขึ้น และลดสัญญาณรบกวนลง

 

ฮับ SPD

DDR5 เลือกใช้อุปกรณ์ใหม่ที่ทำงานร่วมกับ Serial Presence Detect (SPD) EEPROM พร้อมคุณสมบัติในการทำงานของฮับเพิ่มเติม เพื่อจัดการการใช้งานกับชุดควบคุมจากภายนอก และเพื่อลดภาระของหน่วยความจำที่บัสภายในออกจากส่วนการทำงานภายนอก

 

ช่องสัญญาณย่อยแบบคู่ 32 บิต

DDR5 จะแยกโมดูลหน่วยความจำออกเป็นช่องสัญญาณย่อยที่ระบุที่อยู่ได้ขนาด 32 บิตสองช่องสัญญาณที่เป็นอิสระจากกันเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ และลดค่าหน่วงเวลาในการสืบค้นข้อมูลสำหรับชุดควบคุมหน่วยความจำ ขอบเขตความกว้างของข้อมูลของโมดูล DDR5 ยังคงทำงานแบบ 64 บิต แต่การแยกย่อยออกเป็นช่องสัญญาณแบบระบุที่อยู่ได้สองช่องขนาด 32 บิตทำให้ประสิทธิภาพในการทำงานโดยรวมดีขึ้น สำหรับหน่วยความจำระดับเซิร์ฟเวอร์ (RDIMM) การทำงานขนาด 8 บิตได้ถูกเสริมเข้ามาสำหรับช่องสัญญาณย่อยแต่ละส่วนเพื่อรองรับการทำงานกับ ECC ทำให้รองรับการทำงานต่อช่องสัญญาณย่อยรวมได้มากถึง 40 บิต หรือ 80 บิตต่อแถวโมดูลหน่วยความจำ โมดูลแบบสองแถวมีจุดเด่นที่การจัดสรรช่องสัญญาณการสื่อสารย่อยแบบ 32 บิตสี่ช่องสัญญาณ

 

คีย์ของโมดูลหน่วยความจำ

ร่องบากตรงกลางของโมดูลทำหน้าที่เป็นคีย์กำกับแนวสำหรับซ็อคเก็ต DDR5 เพื่อป้องกันการติดตั้งกับ DDR4, DDR3 หรือโมดูลอื่น ๆ ที่ไม่รองรับ คีย์โมดูล DDR5 จะแตกต่างจาก DDR4 ตามประเภทของโมดูลได้แก่ UDIMM และ RDIMM

 

On-Die ECC

On-Die ECC (Error Correction Code) เป็นคุณสมบัติใหม่ที่ออกแบบมาเพื่อแก้ไขข้อผิดพลาดของบิตข้อมูลภายในชิป DRAM เนื่องจากชิป DRAM มีความหนาแน่นเพิ่มมากขึ้นโดยการย่อขนาดของชั้นเวเฟอร์ลง ทำให้การรั่วไหลของข้อมูลเพิ่มมากขึ้น On-Die ECC ช่วยลดความเสี่ยงนี้โดยการแก้ไขข้อผิดพลาดภายในชิป ทำให้การทำงานมีเสถียรภาพมากขึ้นและอัตราข้อผิดพลาดน้อยลง เทคโนโลยีนี้ไม่สามารถแก้ไขข้อผิดพลาดภายนอกชิปได้ หรือข้อผิดพลาดที่เกิดขึ้นกับบัสระหว่างโมดูลและชุดควบคุมหน่วยความจำภายใน CPU โปรเซสเซอร์ที่ใช้ ECC สำหรับเซิร์ฟเวอร์และเวิร์คสเตชั่นจะมีการเข้ารหัสที่สามารถแก้ไขข้อผิดพลาดแบบบิตเดียวหรือหลายบิตได้ระหว่างการทำงาน DRAM จะต้องมีบิตเพิ่มเติมเพื่อให้สามารถแก้ไขข้อผิดพลาดนี้ได้ ซึ่งเป็นสิ่งที่คาดหวังได้จากโมดูลคลาส ECC เช่น ECC unbuffered, Registered และ Load Reduced

 

เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิเสริม

DDR5 RDIMM และ LRDIMM ระดับเซิร์ฟเวอร์จะมีเซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิเพิ่มเข้ามาที่ท้ายโมดูลเพื่อตรวจสอบอุณหภูมิตลอดแนวของ DIMM ทั้งนี้เพื่อให้สามารถควบคุมการทำความเย็นให้กับระบบได้แม่นยำมากขึ้นและเป็นการแก้ปัญหาที่พบใน DDR4 เนื่องจากอุณหภูมิที่สูงเกิน

 

แถวหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้นและความยาวเบิร์สที่มากขึ้น

DDR5 รองรับแถวโมดูลติดตั้งเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าจาก 16 เป็น 32 แถว ทำให้เปิดเพจต่อครั้งได้มากกว่าเดิม ประสิทธิภาพในการทำงานจึงมากกว่าเดิม นอกจากนี้ความยาวเบิร์สขั้นต่ำยังถูกปรับเพิ่มจาก 16 จากเดิมที่ 8 สำหรับ DDR4 วิธีการนี้ช่วยเสริมประสิทธิภาพในการทำงานของบัสข้อมูล ทำให้บัสรองรับข้อมูลมากเป็นสองเท่าและยังช่วยลดจำนวนการอ่าน/เขียนข้อมูลไปยังช่องข้อมูลแคชเดียวกัน

 

การรีเฟรชการทำงานที่ดีกว่าเดิม

DDR5 มาพร้อมกับชุดคำสั่งใหม่คือ SAME-BANK Refresh ซึ่งทำให้สามารถรีเฟรชข้อมูลในกลุ่มแถวหน่วยความจำได้แบบแถวต่อแถวแทนที่จะต้องรีเฟรชทุกแถว เมื่อเปรียบเทียบกับ DDR4 คำสั่งนี้ช่วยให้ DDR5 สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพในการทำงานและการประหยัดพลังงานให้เหนือกว่าเดิม

 

DDR5 ใช้ Decision Feedback Equalization (DFE)

เพื่อให้สัญญาณการสื่อสารของโมดูลมีเสถียรภาพ ซึ่งจำเป็นสำหรับการทำงานที่ใช้แบนด์วิธสูง

ที่มา : www.kingston.com


  • ซื้อ แรมพีซี Kingston Ram PC DDR5 16GB/4800MHz CL40 (16GBx1) Value ได้ที่ร้าน Banana สาขาที่เปิดจำหน่าย สามารถช้อปสินค้า IT อีกมากมาย พร้อมรับโปรโมชั่นดี ๆ ได้ที่ Banana Online หรือเลือกช้อปผ่าน Call Center โทร. 02-017-7770 (ตั้งแต่เวลา 09.00-19.00 น.) และบริการ
  • Chat&Shop ช้อปง่าย สะดวกสบาย! 5 ช่องทาง ได้ที่ Facebook: BananaitshopStudio7 และ Line @bnnonline@bananaitshop@studio7 มีบริการจัดส่งด่วน 3 ชั่วโมง